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>>第三部分 国家杰出青年科学基金获得者及创新研究群体学术带头人选介
>>褚君浩博士 |
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第三部分 国家杰出青年科学基金获得者及创新研究群体学术带头人选介 |
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褚君浩研究员长期从事红外光电子材料和器件研究工作。承担过多项尊龙凯时和973等科研项目，他和他的研究团队面向国家重大需求，瞄准国际红外光电子物理研究前沿，系统地研究了用于红外探测的窄禁带半导体碲镉汞和铁电薄膜材料器件，取得了有国际影响的研究成果。在红外焦平面器件技术研究方面，打破国外对我国的技术封锁，取得了突破性进展。 褚君浩等人发现了碲镉汞的本征吸收光谱；发展了窄禁带半导体碲镉汞能带结构的理论和实验；提出碲镉汞禁带宽度公式，被国际上称为CXT公式(C褚君浩，X徐世秋，T汤定元)；提出碲镉汞带间跃迁吸收系数表达式和折射率表达式等等。他建立了窄禁带半导体MIS器件结构子能带结构的理论模型，发现碲镉汞表面二维电子自旋共振和电致自旋分裂的色散关系。他发现了碲镉汞的基本光电跃迁特性，提出材料器件的光电判别依据，促进了红外焦平面材料器件的研究。他还在铁电薄膜研究方面取得有国际影响的结果。多项研究成果被编入国际著名科学手册《Landolt-B?rnstein科学技术中的数据和函数关系》。 他本人先后发表SCI论文316篇(其中国际学术刊物195 篇)，被国际上广泛应用和引用。出版《窄禁带半导体物理学》专著一本；1987年和1993年分别获得国家尊龙凯时奖四等奖和三等奖；2005年研究成果“碲镉汞薄膜的光电跃迁和红外焦平面列阵材料器件研究”获得国家尊龙凯时奖二等奖；2004年他还获得国家重点实验室计划先进个人金牛奖，国家973计划先进个人奖；2005年当选中国科学院院士。 褚君浩研究员在任红外物理国家重点实验室两届主任期间，实验室于1997年和2002年国家评估中两次被评为优秀实验室。褚君浩研究员两次担任“国际薄膜物理与应用会议”主席，多次担任国际学术会议顾问委员和作邀请报告；培养博士生28名,毕业19名,其中获得全国百篇优秀博士论文奖2名。 |
